HMOS (anglicky High density, short channel Metal Oxide Silicone, případně High-performance MOS) je označení technologie výroby číslicových integrovaných obvodů, která byla používána od roku 1976 pro výrobu většiny mikroprocesorů, některých typů pamětí a mnoha podpůrných a periferních obvodů. V polovině 80. let 20. století začala být nahrazována technologií CMOS a HCMOS^[1].

Použití

Do začátku 80. let 20. století, byly obvody používající technologii CMOS stále docela pomalé a byly používány většinou pro obvody nízké a střední integrace řady 4000, statické RAM a zákaznické obvody ASIC s nízkým příkonem pro spotřební elektroniku jako digitální hodinky a kalkulátory apod. Pro obvody vysoké integrace, které měly mít vysoký výkon se používala technologie NMOS.

Technologie HMOS je vylepšená technologie NMOS se zatěžovacími tranzistory v režimu ochuzení, kterou vyvinula firma Intel pro výrobu statických RAM pamětí^[2]. Technologie začala být používána v roce 1976 a velmi brzy byla použita i pro výrobu novějších provedení mikroprocesorů Intel 8085 a Intel 8086 se sníženou spotřebou a vyšším výkonem a dalších čipů.

Licence na technologii HMOS byly také prodány dalším výrobcům, například firmě Motorola, která ji použila na výrobu obvodů řady Motorola 68000^[3].

Technologie označované HMOS, HMOS II, HMOS III a HMOS IV byly používány pro výrobu mnoha druhů mikroprocesorů: Intel 8048, Intel 8051, Intel 8086, Intel 80186, Intel 80286.

Odkazy

Reference

V tomto článku byly použity překlady textů z článků HMOS na německé Wikipedii a Depletion-load NMOS logic na anglické Wikipedii.

Literatura

• K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund. HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1981-10, roč. 16, čís. 5, s. 454–459. DOI 10.1109/JSSC.1981.1051622. 

Související články

• PMOS
• NMOS
• CMOS